氮化鎵/GaN - MGZ18N65
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650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
非常低的QRR
減少交叉損失
易于駕駛與常用的門驅(qū)動器
實現(xiàn)交流直流無橋圖騰柱PFC設計
-功率密度增加
-減少了系統(tǒng)的尺寸和重量
-整體較低的系統(tǒng)成本
在硬交換電路和軟交換電路中都能提高了效率
產(chǎn)品介紹
GaN，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現(xiàn)今半導體照明中藍光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。
GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩(wěn)定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。
一、氮化鎵/GaN - MGZ18N65的特性：
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
非常低的QRR
減少交叉損失
易于駕駛與常用的門驅(qū)動器
實現(xiàn)交流直流無橋圖騰柱PFC設計
-功率密度增加
-減少了系統(tǒng)的尺寸和重量
-整體較低的系統(tǒng)成本
在硬交換電路和軟交換電路中都能提高了效率
二、氮化鎵/GaN - MGZ18N65的應用：
電源適配器
低功耗SMPS
照明設備
ISweek 工采網(wǎng)的所有產(chǎn)品均來自于原始生產(chǎn)廠商直接供貨，非第三方轉(zhuǎn)售。
